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2N5551 TIN/LEAD

包裝：管件 封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N5551A

GENERALPURPOSETRANSISTORS

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

2N5551B

GENERALPURPOSETRANSISTORS

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

2N5551BU

NPNGeneral-PurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N5551BU

NPNGeneral-PurposeAmplifier

Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N5551C

GENERALPURPOSETRANSISTORS

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

2N5551C

TO-92PACKAGE

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

2N5551C

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V ?LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.),VCB=120V ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.),IC=50mA,IB=5mA ?LowNoise:NF=8dB(Max.)

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

2N5551CN

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.)

AUK

AUK corp

2N5551CSM

HIGHVOLTAGENPNSWITCHINGTRANSISTORINA

FEATURES ?SILICONPLANAREPITAXIALNPNTRANSISTOR ?HERMETICCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGE(SOT23COMPATIBLE) ?CECCSCREENINGOPTIONS APPLICATIONS: Hermeticallysealedsurfacemount2N5551forhighreliability/spaceapplicationsrequiringsmallsizeandlowweightdevices.

SEME-LAB

Seme LAB

2N5551DCSM

DualBipolarNPNDevicesinahermeticallysealed

DualBipolarNPNDevices. VCEO=160V IC=0.6A

SEME-LAB

Seme LAB

2N5551F

TRANSISTOR(NPN)

FS

First Silicon Co., Ltd

2N5551G

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N5551G

AmplifierTransistorsNPNSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N5551HR

Hi-RelNPNbipolartransistor160V-0.5A

Description The2N5551HRisasiliconplanarNPNtransistorspecificallydesignedandhousedinhermeticpackagesforaerospaceandHi-Relapplications.ItisavailableintheJANqualificationsystem(MIL-PRF19500compliance)andintheESCCqualificationsystem(ESCC5000compliance).Incaseo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2N5551K

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

Features GeneralPurposeSwitchingApplication

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2N5551K

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2N5551K-TA

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

Features GeneralPurposeSwitchingApplication

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2N5551N

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5401N

AUK

AUK corp

2N5551RLRA

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N5551 TIN/LEAD

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    300MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92-3

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多2N5551 TIN/LEAD供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 16:08:00

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