2N5195中文資料新澤西半導體數據手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
2N5195 |
參數屬性 | 2N5195 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產品描述:TRANS PNP 80V 4A SOT32-3 |
功能描述 | Silicon PNP Power Transistors |
文件大小 |
140.27 Kbytes |
頁面數量 |
2 頁 |
生產廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導體】 |
中文名稱 | 新澤西半導體產品股份有限公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2024-11-19 8:30:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N5195三極管、2N5195晶體管、2N5195晶體三極管
- 生產廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質:
低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
80V
- 最大電流允許值:
4A
- 最大工作頻率:
>2MHZ
- 引腳數:
3
- 可代換的型號:
BD190,BD200,BD296,BD442,BD788,CD50B,MJE250,MJE251,MJE252,MJE253,MJE254,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍數:
- 圖片代號:
B-21
- vtest:
80
- htest:
2000100
- atest:
4
- wtest:
40
2N5195規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(sus)= -40V(Min)-2N5193
= -60V(Min)-2N5194
= -80V(Min)-2N5195
? Good Linearity of hFE
? Low Saturation Voltage
? Complement to Type 2N5190/5191/5192
APPLICATIONS
? Designed for use in power ampl fier and switching circuits.
產品屬性
- 產品編號:
2N5195
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.2V @ 1A,4A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 1.5A,2V
- 頻率 - 躍遷:
2MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應商器件封裝:
SOT-32-3
- 描述:
TRANS PNP 80V 4A SOT32-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics |
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STM |
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