2N5010S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2N5010S |
參數(shù)屬性 | 2N5010S 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT |
功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
文件大小 |
51.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-26 10:52:00 |
2N5010S規(guī)格書詳情
NPN SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/727
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N5010S
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/727
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.4V @ 5mA, 25mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 25mA,10V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-205AD,TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-39(TO-205AD)
- 描述:
POWER BJT
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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