2N4958分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2N4958 |
參數(shù)屬性 | 2N4958 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:SMALL-SIGNAL BJT |
功能描述 | PNP SILICON ANNULAR SMALL-SIGNAL |
文件大小 |
156.71 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-15 14:30:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N4958三極管、2N4958晶體管、2N4958晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質(zhì):
超高頻/特高頻 (UHF)_低噪放大 (ra)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
30V
- 最大電流允許值:
0.03A
- 最大工作頻率:
1.5GHZ
- 引腳數(shù):
4
- 可代換的型號(hào):
BF272,BF316,BF372,BF439,BF516,BF606,BFR38,BFR99,3CG114B,
- 最大耗散功率:
0.2W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
D-13
- vtest:
30
- htest:
1500000000
- atest:
0.03
- wtest:
0.2
2N4958規(guī)格書詳情
PNP silicon annular small-signal RF transistor designed for high-gain, low-noise amplifier, oscillator, and mixer applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N4958
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 描述:
SMALL-SIGNAL BJT
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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