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2N4403RLRPG

General Purpose Transistors

PNPsiliconplanarepitaxialtransistor Collector?EmitterVoltageVCEO40Vdc Collector?BaseVoltageVCBO40Vdc Emitter?BaseVoltageVEBO5.0Vdc CollectorCurrent?ContinuousIC600mAdc

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4403RLRPG

General Purpose Transistors PNP Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4403RLRPG

包裝：管件 封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)基體（成形引線） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 40V 0.6A TO92

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4403SC

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?Complementarytothe2N4401SC

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

2N4403T/B

PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR

VOLTAGE40VPOWER625mW FEATURES PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=-40V CollectorcurrentIC=-600mA Complimentary(NPN)device:2N4401 MECHANICALDATA Case:TO-92 Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ApproxWeight:0.02

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

2N4403T/R

PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR

VOLTAGE40VPOWER625mW FEATURES PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=-40V CollectorcurrentIC=-600mA Complimentary(NPN)device:2N4401 MECHANICALDATA Case:TO-92 Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ApproxWeight:0.02

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

2N4403TA

PNPGeneralPurposeAmplifier

Description Thisdeviceisdesignedforuseasageneral-purposeamplifierandswitchforcollectorcurrentsto500mA.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N4403TFR

PNPGeneralPurposeAmplifier

Description Thisdeviceisdesignedforuseasageneral-purposeamplifierandswitchforcollectorcurrentsto500mA.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

G2N4403

TheG2N4403isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

G2N4403

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

H2N4403

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheH2N4403isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features ?ComplementarytoH2N4401 ?HighPowerDissipation:625mWat25°C ?HighDCCurrentGain:100-300at150mA ?HighBreakdownVoltage:40VMin.

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

ST2N4403

PNPEpitaxialSiliconTransistor

PNPEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

ST2N4403

PNPEpitaxialSiliconTransistor

PNPEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N4403RLRPG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    750mV @ 50mA，500mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 150mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    200MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)基體（成形引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS PNP 40V 0.6A TO92

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON
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更多2N4403RLRPG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 14:02:00

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