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2N3656中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N3656
廠商型號(hào)

2N3656

功能描述

35-A Silicon Controlled Rectifiers

文件大小

80.85 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 18:44:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N3656

  • 別名:

    2N3656三極管、2N3656晶體管、2N3656晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    F-Thy

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

    特殊封裝

  • 極限工作電壓:

    200V

  • 最大電流允許值:

    25A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BTW28/500R,CS15.9-04,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    F-1

  • vtest:

    200

  • htest:

    999900

  • atest:

    25

  • wtest:

    0

2N3656規(guī)格書詳情

SCR

C140 and C141 Series of Silicon Controlled Rectifiers are reverse blocking triode thyristor semiconductor devices designed primarily for high-frequency power switching applications which require blocking voltages up to 400 volts and load currents up to 35 amperes RMS, at frequencies up to 25 kHz.

The C140 and C141 Series feature:

? Contoured junction surfaces for high-voltage stability

? Shorted emitters for high dv/dt (200V/μsec)

? Distributed gates for high di/dt (400A//μsec)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N3656

  • 功能描述:

    35-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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