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2N3636

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON)

GENERALPURPOSETRANSISTOR PNPSILICON

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N3636

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636

SILICON PLANAR RF TRANSISTORS

SILICONPLANARRFTRANSISTORS The2N3636and2N3637arePNPtransistorsmountedinTO-39metalcase. TheyareintendedforhighvoltageswitchingandLowPowerAmplifier. CompliancetoRoHS

COMSET

Comset Semiconductor

2N3636

Low Power Transistors

LowPowerTransistors PNPSilicon Features ?MIL?PRF?19500/357Qualified ?AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3636

PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS

PNPSILICONPLANARRFTRANSISTORS 2N3635and2N3637ArePNPSiliconTransistrosForHighVoltageSwitchingandLowPowerAmplifier.

CDIL

Continental Device India Limited

2N3636

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39

SEME-LAB

Seme LAB

2N3636

RADIATION HARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 175V 1A TO39

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3636L

Low Power Transistors

LowPowerTransistors PNPSilicon Features ?MIL?PRF?19500/357Qualified ?AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3636L

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636L

RADIATION HARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636L

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636UB

RADIATION HARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636UB

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3636UB

包裝:散裝 封裝/外殼:3-SMD,無(wú)引線 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 175V 1A 3SMD

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3636UB/TR

包裝:散裝 封裝/外殼:3-SMD,無(wú)引線 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:SMALL-SIGNAL BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N3636(S)

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    175V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >150MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BFT19,BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,3CA3F,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍數(shù):

    β>50

  • 圖片代號(hào):

    C-40

  • vtest:

    175

  • htest:

    150000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N3636

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS PNP 175V 1A TO39

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Microchip Technology
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