2N3507分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N3507 |
| 參數(shù)屬性 | 2N3507 封裝/外殼為TO-205AD，TO-39-3 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：2N3507 |
| 功能描述 | NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR |
| 文件大小 |
96.46 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-26 16:16:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
2N3507三極管、2N3507晶體管、2N3507晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
3A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
C-78
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
1
2N3507規(guī)格書詳情
NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/349
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N3507
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 250mA，2.5A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 500mA，1V
- 頻率 - 躍遷：
3MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-39
- 描述：
2N3507
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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