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2N3055H 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

2N3055H參考圖片

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原廠料號:2N3055H品牌:ON/安森美

原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價優(yōu)

2N3055H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-204AA,TO-3的2N3055H晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號:

    2N3055H

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    4 頁

  • 文件大?。?/span>

    81.17 kb

  • 資料說明:

    Complementary Silicon Power Transistors

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號

    :2N3055H

  • Maximum Transition Frequency

    :2.5(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation

    :115000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :7V

  • Maximum DC Collector Current

    :15A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :60V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :1.1@400mA@4A3@3.3A@10A

  • Maximum Collector Base Voltage

    :100V

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市恒科翔業(yè)電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    鄭小姐

  • 手機(jī):

    17302646294

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83238360/17302646294

  • 傳真:

    0755-82716600

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路新華強(qiáng)廣場B座27D