2N3019分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N3019 |
| 參數(shù)屬性 | 2N3019 封裝/外殼為TO-205AD，TO-39-3 金屬罐；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 1A TO39 |
| 功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 |
| 文件大小 |
17.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Seme LAB |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
SEME-LAB |
| 中文名稱 | Seme LAB官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-20 14:04:00 |
| 人工找貨 | 2N3019價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N3019
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 頻率 - 躍遷：
100MHz
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-39
- 描述：
TRANS NPN 80V 1A TO39
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO46 |
4231 |
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ST |
23+ |
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