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2N2906A PBFREE

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO18

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N2906ACSM

SILICONPLANAREPITAXIALPNPTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

2N2906ADCSM

DualBipolarPNPDevicesinahermeticallysealed

SEME-LAB

Seme LAB

2N2906AJ.TX.V

MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N2906AL

PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR

RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2906AL

RADIATIONHARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2906AUA

RADIATIONHARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2906AUA

PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR

RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2906AUB

PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR

RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2906AUB

SiliconPNPTransistor

Description SemicoaSemiconductorsoffers: ?ScreeningandprocessingperMIL-PRF-19500AppendixE ?JANlevel(2N2906AUBJ) ?JANTXlevel(2N2906AUBJX) ?JANTXVlevel(2N2906AUBJV) ?JANSlevel(2N2906AUBJS) ?QCItotheapplicablelevel ?100dievisualinspectionperMIL-STD-750method2

Semicoa

Semicoa Semiconductor

2N2906AUB

RADIATIONHARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2906AUBC

RADIATIONHARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2906CSM

BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1

SEME-LAB

Seme LAB

2N2906DCSM

DualBipolarPNPDevicesinahermeticallysealed

SEME-LAB

Seme LAB

2N2906E

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ?LowCollectorOutputCapacita

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

2N2906E

LaserMarking

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

2N2906J.TX.V

MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N2906U

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ●LowCollector

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

JAN2N2906A

PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR

RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JAN2N2906AL

PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR

RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N2906A PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AA,TO-18-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-18

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.6A TO18

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
UNKNOWN
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更多2N2906A PBFREE供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 14:21:00