2N2604UB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N2604UB |
| 參數(shù)屬性 | 2N2604UB 封裝/外殼為3-SMD，無引線；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SMALL-SIGNAL BJT |
| 功能描述 | PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 3-SMD，無引線 |
| 文件大小 |
157.78 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-10 15:30:00 |
| 人工找貨 | 2N2604UB價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N2604UB
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/354
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 500μA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 500μA，5V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-SMD，無引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
UB
- 描述：
SMALL-SIGNAL BJT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DAS |
24+ |
TO-46 |
16800 |
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Microsemi Corporation |
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