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2N2369分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N2369
廠商型號(hào)

2N2369

參數(shù)屬性

2N2369 封裝/外殼為T(mén)O-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:SMALL-SIGNAL BJT

功能描述

HIGH-FREQUENCY SATURATED SWITCH

文件大小

44.04 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-25 22:30:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N2369(A)

  • 別名:

    2N2369三極管、2N2369晶體管、2N2369晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    高速開(kāi)關(guān) (SS)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,BSY63,2N3227,2N3261,2SC2901,3DG84B,

  • 最大耗散功率:

    0.36W

  • 放大倍數(shù):

    β>40

  • 圖片代號(hào):

    D-8

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0.36

2N2369規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The 2N2369 is a silicon planar epitaxial NPN transistorin JedecTO-18 metal case. It is designed specifically for high-speed saturated switching applications at current levels from 100 μA to 100 mA.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N2369

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 功率 - 最大值:

    680mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AA,TO-18-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-18(TO-206AA)

  • 描述:

    SMALL-SIGNAL BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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