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2N2322	文件：168.48 Kbytes Page：1 Pages	1.6A RMS UP TO 400 VOLTS SILICONCONTROLLEDRECTIFIERS 1.6ARMSUpto400Volts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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2N2322	文件：80.26 Kbytes Page：3 Pages	SILICON THYRISTORS SILICONTHYRISTORS All-diffusedPNPNthyristorsdesignedforgratingoperationinmA/μAsignalordetectioncircuits CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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2N2324	文件：85.2 Kbytes Page：1 Pages	SCR, V(DRM) = 100 V TO 199.9 V SILICONCONTROLLEDRECTIFIERS 1.6ARMSUpto400Volts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N2324	文件：80.26 Kbytes Page：3 Pages	SILICON THYRISTORS SILICONTHYRISTORS All-diffusedPNPNthyristorsdesignedforgratingoperationinmA/μAsignalordetectioncircuits CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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晶體管資料

型號：
2N2322
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
50HZ－Thy
性質(zhì)：
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
MCR606-2,TAG615-100,2N6332,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
C-78
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

詳細參數(shù)

型號：
2N232
制造商：
GE
功能描述：
2N2322
制造商：
Solid State Devices Inc(SSDI)
功能描述：
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,25V V(DRM),1.6A I(T),TO-5

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更多2N232供應(yīng)商更新時間2024-11-17 14:02:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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