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2N2060

Dual Transistors

DualTransistorsPD@TA=25°C=600mWTotal(BothDieEqualPower)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N2060

20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N2060

Dual Transistors PD@ TA=25oC=600mW Total (Both Die Equal Power);

Dual Transistors PD@ TA=25oC=600mW Total (Both Die Equal Power)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N2060A

Dual Transistors

DualTransistorsPD@TA=25°C=600mWTotal(BothDieEqualPower)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N2060A

DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N2060L

UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

UNITIZEDDUALNPNSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/270

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2060M

SILICON DUAL NPN TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N2060MisasilicondualNPNtransistorutilizingtwoindividualchipsmountedinahermeticallysealedmetalcasedesignedfordifferentialamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N20906A

PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS

PNPSiliconPlanarTransistors

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

2N20907A

PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS

PNPSiliconPlanarTransistors

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

2N2000

GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

技術(shù)參數(shù)

  • Maximum Power Dissipation：

    600mW

  • Maximum Operating Temperature：

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    7V

  • Maximum DC Collector Current：

    0.5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    60V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.3@5mA@50mAV

  • Maximum Collector Base Voltage：

    100V

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Dual

  • Category：

    Bipolar Small Signal

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更多2N20供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 11:04:00

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