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2N1131

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131

SILICON PNP TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N1131isasiliconPNPtransistormountedinahermeticallysealedpackagedesignedformediumcurrentswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

2N1131

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131

Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N1131

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N1131A

Small Signal Transistors

SmallSignalTransistorsTO-39Case

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

2N1131L

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131L

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131A

PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N1131A

Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N1131J

Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N1131L

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131L

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5

SEME-LAB

Seme LAB

2N1131A PBFREE

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 40V TO39

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

2N1131B PBFREE

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS TO39

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

晶體管資料

  • 型號:

    2N1131

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    >50MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC161,BC303,BC304,2N2904(A),2N2905(A),2N4235,2N5323,3CK9D,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    50

  • htest:

    50000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.6

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N1131

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/177

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.3V @ 15mA,150mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 150mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應商器件封裝:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    POWER BJT

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