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2ED2778S01G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2ED2778S01G
廠商型號(hào)

2ED2778S01G

功能描述

160 V high side, low side SOI gate driver with integrated bootstrap diode

文件大小

550.22 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-15 22:50:00

2ED2778S01G規(guī)格書詳情

Features

? Bootstrap voltage (VB node) of +160 V

? Floating channel designed for bootstrap operation

? Integrated low RON, ultra-fast bootstrap diodes

? Independent under voltage lockout for both high and low side

? Schmitt trigger inputs with hysteresis

? Integrated short pulse / noise rejection input filter

? Schmitt trigger inputs with hysteresis

? 3.3 V, 5 V input logic compatible, outputs in phase with inputs

? Available in small footprint VSON-10, 3 x 3 mm package

? 2kV HBM ESD, RoHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
23+
1700V兩單元驅(qū)動(dòng)板
12000
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英飛林
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Infineon/英飛凌
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DSO-8
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