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2ED1322S12MXUMA1

1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP

Features ?UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology Floating channeldesignedforbootstrapoperation ?Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+1225V ?Operatingvoltages(VSnode)upto+1200V ?NegativeVStransientvoltageimmunityof100V With repetive700ns

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多2ED1322S12MXUMA1供應商 更新時間2024-12-27 14:00:00