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2DB1182Q分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2DB1182Q
廠商型號

2DB1182Q

參數(shù)屬性

2DB1182Q 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 32V 2A TO252-3

功能描述

32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

113.56 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-5 10:03:00

2DB1182Q規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > -32V

? IC = -2A High Continuous Collector Current

? ICM = -3A Peak Pulse Current

? Epitaxial Planar Die Construction

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage

? Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2DB1182Q-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    800mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    110MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    TO-252-3

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 2A TO252-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
DIODES/美臺
2022+
SOT252
2500
原廠代理 終端免費提供樣品
詢價
DIODES
22+
TO-252-3
25000
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十
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DIODES/美臺
18+
TO-252-3
36970
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DIODES/美臺
23+
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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50
原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家
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