2D0N60P中文資料KEC數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
2D0N60P規(guī)格書詳情
General Description
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode power supplies.
FEATURES
VDSS= 600V, ID= 2.0A
Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)=5.0?@VGS= 10V
Qg(typ.) = 10.9nC
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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Honeywell(霍尼韋爾) |
23+ |
7350 |
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