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HCS273DMSR

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HCS273HMSR

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis

Intersil

Intersil Corporation

HCS273HMSR

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat

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HCS273K

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis

Intersil

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HCS273K

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat

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HCS273KMSR

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis

Intersil

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HCS273KMSR

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat

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HCS273MS

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis

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HCS273MS

RadiationHardenedOctalDFlip-Flop

Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat

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HCT273

OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs

OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs High–PerformanceSilicon–GateCMOS TheMC74HCT273AmaybeusedasalevelconverterforinterfacingTTLorNMOSoutputstoHigh–SpeedCMOSinputs. TheHCT273AisidenticalinpinouttotheLS273. Thisdevicec

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    273BX

  • 制造商：

    Hammond Manufacturing

  • 類別：

    變壓器 > 電源變壓器

  • 系列：

    273

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    疊片磁芯

  • 電壓 - 初級(jí)：

    115V

  • 電壓 - 次級(jí)（滿負(fù)載）：

    700V，6.3V，5V

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    201mA，5A，3A

  • 初級(jí)繞組：

    單路

  • 次級(jí)繞組：

    三路

  • 中心抽頭：

    是

  • 功率 - 最大值：

    182VA

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 端接樣式：

    導(dǎo)線引線

  • 大小 / 尺寸：

    79.50mm 長(zhǎng) x 101.60mm 寬

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    96.77mm

  • 電壓 - 隔離：

    2000Vrms

  • 重量：

    6.6 磅（3 kg）

  • 描述：

    PWR XFMR LAMINATED 182VA CHAS MT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Hammond
2020+
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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專注Hammond品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
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SOP20
12500
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配
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Serpac
新
5
全新原裝 貨期兩周
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Serpac
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
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23+
SOT-23-6
34500
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳
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04021210
4520
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23+
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多273BX供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 10:18:00

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