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24N60FD2中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

24N60FD2
廠商型號(hào)

24N60FD2

功能描述

24A, 600V DP MOS POWER TRANSISTOR

文件大小

349.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 16:30:00

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24N60FD2規(guī)格書(shū)詳情

GENERAL DESCRIPTION

SVS24N60F(FJ)(PN)(T)D2 is an N-channel enhancement mode high

voltage power MOSFET produced using Silan’s DP MOS technology. It

achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design

engineers to their power converters with high efficiency, high power

density, and superior thermal behavior. Furthermore, it’s universal

applicable, for example. it is suitable for hard and soft switching

topologies.

FEATURES

? 24A, 600V, RDS(on)(typ.)=0.14?@VGS=10V

? New revolutionary high voltage technology

? Ultra low gate charge

? Periodic avalanche rated

? Extreme dv/dt rated

? High peak current capability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋?kù)存,詳
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UTC
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老牌代理,長(zhǎng)期現(xiàn)貨
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