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CEN2307A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEN2307B

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEN2307BB

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CES2307

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CES2307

P-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

CES2307A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CES2307A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CES2307B

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CES2307BB

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CHM2307PT

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

VOLTAGE30VoltsCURRENT3.2Ampere FEATURE *Smallflatpackage.(SC-59) *HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). *Ruggedandreliable. *Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION *Servomotorcontrol. *PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2307-H-RC

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    電感器，線圈，扼流圈 > 固定電感器

  • 系列：

    2300

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 類型：

    環(huán)形

  • 材料 - 磁芯：

    鐵粉

  • 容差：

    ±15%

  • 屏蔽：

    無屏蔽

  • DC 電阻 (DCR)：

    13 毫歐最大

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 105°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向，水平（開放式）

  • 大小 / 尺寸：

    1.280" 直徑（32.51mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.650"（16.51mm）

  • 描述：

    FIXED IND 33UH 11.7A 13 MOHM TH

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
BOURNS
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電感器
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Bourns
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Bourns Inc.
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徑向 水平(開放式)
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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23+
TSSOP16
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Bourns
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5
全新原裝 貨期兩周
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Bourns
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
JXND
23+
SOT-23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
JXND
24+
SOT-23
60000
詢價
更多2307-H-RC供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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