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200B103KT50XT1K

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：1111（2828 公制） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 10000PF 50V BX 1111

ATC

American Technical Ceramics Corp

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包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：1111（2828 公制） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 10000PF 50V BX 1111

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RFPowerLDMOSTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

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RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedprimarilyforCWlarge-signaloutputanddriverapplicationswithfrequenciesupto600MHz.Devicesareunmatchedandaresuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications.

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

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RFPowerLDMOSTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

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RFPowerFieldEffectTransistorsN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

ATC200B103KT50XT

RFPowerFieldEffectTransistorN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. ?TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

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RFPowerLDMOSTransistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

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RFPowerFieldEffectTransistor

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飛思卡爾飛思卡爾半導體

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    200B103KT50XT1K

  • 制造商：

    American Technical Ceramics

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    ATC 200B

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差：

    ±10%

  • 電壓 - 額定：

    50V

  • 溫度系數(shù)：

    BX

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 特性：

    低 ESL 型

  • 應用：

    旁通，去耦

  • 安裝類型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    1111（2828 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.110" 長 x 0.110" 寬（2.79mm x 2.79mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.102"（2.59mm）

  • 描述：

    CAP CER 10000PF 50V BX 1111

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多200B103KT50X供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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