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1N6823R中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

1N6823R
廠(chǎng)商型號(hào)

1N6823R

功能描述

LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

文件大小

80.28 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Microsemi美高森美

中文名稱(chēng)

美高森美公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-1 23:00:00

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1N6823R規(guī)格書(shū)詳情

Features

· Tungsten/Platinum schottky barrier

· Oxide passivated structure for very low leakage currents

· Guard ring protection for increased reverse energy capability

· Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

· Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

· Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

· Low package inductance

· Very low thermal resistance

· Available as standard polarity (strap-to-anode, 1N6823) and reverse polarity (strap-to-cathode: 1N6823R)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    1N6823R

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱(chēng):

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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