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1N6483分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

1N6483
廠商型號

1N6483

參數(shù)屬性

1N6483 封裝/外殼為DO-213AB,MELF(玻璃);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

功能描述

Surface-Mount Glass Passivated Junction Rectifier

封裝外殼

DO-213AB,MELF(玻璃)

文件大小

85.36 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-24 17:24:00

1N6483規(guī)格書詳情

FEATURES

? Superectifier structure for high reliability condition

? Ideal for automated placement

? Low forward voltage drop

? Low leakage current

? High forward surge capability

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 250 °C

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters and freewheeling diodes for consumer,

automotive and telecommunication.

MECHANICAL DATA

Case: MELF (DO-213AB), molded epoxy over glass body

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: two bands indicate cathode end - 1st band

denotes device type and 2nd band denotes repetitive peak

reverse voltage rating

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    1N6483-E3/97

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    SUPERECTIFIER?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    8pF @ 4V,1MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    DO-213AB,MELF(玻璃)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DO-213AB

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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