1N6365中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
1N6365 |
| 參數(shù)屬性 | 1N6365 封裝/外殼為DO-13；包裝為散裝；類別為電路保護 > TVS - 二極管；1N6365應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：TVS DIODE 8VWM 11.6VC DO13 |
| 功能描述 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 文件大小 |
89.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-6 18:26:00 |
1N6365規(guī)格書詳情
Description
This Transient Voltage Suppressor (TVS) series for 1N6356 thru 1N6372 are JEDEC registered selections for both unidirectional and bidirectional devices. The 1N6356 thru 1N6364 are unidirectional and the 1N6365 thru 1N6372 are bi-directional where they all provide a very low specified clamping factor for minimal clamping voltages (VC) above their respective breakdown voltages (VBR) as specified herein.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
1N6365
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
電路保護 > TVS - 二極管
- 包裝：
散裝
- 類型：
齊納
- 電壓 - 反向斷態(tài)（典型值）：
8V
- 電壓 - 擊穿（最小值）：
9.4V
- 不同 Ipp 時電壓 - 箝位（最大值）：
11.6V
- 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)：
100A
- 功率 - 峰值脈沖：
1500W（1.5kW）
- 電源線路保護：
無
- 應(yīng)用：
通用
- 工作溫度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
DO-13
- 供應(yīng)商器件封裝：
DO-13
- 描述：
TVS DIODE 8VWM 11.6VC DO13
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美國微芯) |
23+ |
DO13 |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
Microsemi(美高森美) |
23+ |
DO13 |
7350 |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
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詢價 | |||
Microchip |
21+ |
N/A |
15000 |
只做原裝 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
60000 |
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詢價 | |||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
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