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1N5927AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向類別：分立半導體產品二極管 - 齊納 - 單描述：DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5927B	文件：346.85 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司	SUNMATE
1N5927B	文件：107 Kbytes Page：5 Pages	1.5WZENERDIODE GlassPassivatedDieConstruction 1.5WPowerDissipation 3.3V–200VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0 MechanicalData	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1N5927B	文件：808.8 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes1N59Series FEATURES ●Ptot1.5W ●Vz3.3V-240V	RFERFE international RFE國際公司RFE國際股份有限公司	RFE
1N5927B	文件：530.27 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode ■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
1N5927B	文件：240.79 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
1N5927B	文件：127.38 Kbytes Page：2 Pages	1.5WATTSILICONZENERDIODE FEATURES ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORYFLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 ●LOWZENERIMPEDANCE ●EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY MECHANICALDATA ●CASE:MOLDEDPLASTIC,DO41,DIMENSIONSININCHESAND(MILLIMETERS) ●TERMINALS:AXIALLEADSSOLDERABLEPERMIL-STD-20	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5927B	文件：451.06 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODEVOLTAGE-11TO200Volts FEATURES ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Glasspassivatedjunction ●Lowinductance ●TypicalIRlessthan1￡gAabove11V ●Hightemperaturesoldering:260℃/10secondsatterminals ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassificati	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明輝電子山東星合明輝電子有限公司	GXELECTRONICS
1N5927B	文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages	Axial-Leaded1.5Wattdiodes Axial-Leaded1.5Wattdiodes	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
1N5927B	文件：137.12 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
1N5927B	文件：422.798 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5927B	文件：738.238 Kbytes Page：4 Pages	3W12VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5927B	文件：157.75 Kbytes Page：2 Pages	1.5WSILICONZENERDIODE VOLTAGERANGE3.3to200Volts FEATURES Zenervoltage3.3Vto200V Withstandslargesurgestresses	JGDJinan Gude Electronic Device 濟南固锝電子濟南固锝電子器件有限公司	JGD
1N5927B	文件：347.3 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODE1.5WATT,3.3THRU200VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5913BseriessiliconZenerdiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforuseinautomotive,industrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
1N5927B	文件：56.43 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5927B	文件：105.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5927B	文件：225.1 Kbytes Page：3 Pages	3WSILICONZENERDIODES 3WSILICONZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5927B	文件：457.81 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5927B	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
1N5927B	文件：49.4 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT

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產品屬性

產品編號：
1N5927AG
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導體產品 > 二極管 - 齊納 - 單
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±10%
工作溫度：
-65°C ~ 175°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
DO-204AL，DO-41，軸向
供應商器件封裝：
DO-204AL（DO-41）
描述：
DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5927AG	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	1N5927AP/TR12	MICROSEMI	1809+	DO-204	1675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	1N5927AP/TR12	Microchip	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	1N5927APE3/TR12	MICROCHIP	23+		7300	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	1N5927APE3/TR12	MICROCHIP	23+		7300	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	1N5927A穩(wěn)壓(齊納)二極管	ON/安森美	24+	DO-15	98000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!	詢價
深圳市粵科源興科技有限公司	1N5927B	MCC	13+	DO-41G	5135	原裝分銷	詢價
深圳市一線半導體有限公司	1N5927B	EIC	24+		76400		詢價
深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	1N5927B	SUNMATE(森美特)	2019+ROHS	DO-41	66688	森美特高品質產品原裝正品免費送樣	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	1N5927B	FCI	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價

更多1N5927AG供應商更新時間2024-12-28 10:18:00

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