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1N5919	文件：2.17986 Mbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司	TAYCHIPST
1N5919	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
1N5919	文件：648.8 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to240Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
1N5919	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5919	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5919A	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
1N5919A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5919A	文件：15.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5919A	文件：122.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5919A	文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages	1.5W5.6VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5919A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWERDISSIPATION:1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1N5919A	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5919B	文件：346.85 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
1N5919B	文件：530.27 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode ■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
1N5919B	文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages	DO-13PACKAGE-GLASSTOMETALHERMETICALLYSEALED Axial-Leaded1.5Wattdiodes	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
1N5919B	文件：738.238 Kbytes Page：4 Pages	3W5.6VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5919B	文件：240.79 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
1N5919B	文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages	Axial-Leaded1.5Wattdiodes	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
1N5919B	文件：137.12 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
1N5919B	文件：107 Kbytes Page：5 Pages	1.5WZENERDIODE GlassPassivatedDieConstruction 1.5WPowerDissipation 3.3V–200VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0 MechanicalData	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE

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更多1N5919BRLG/BKN供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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