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1N5809US分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

1N5809US
廠商型號

1N5809US
參數(shù)屬性

1N5809US 封裝/外殼為SQ-MELF；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE GEN PURP 100V 6A
功能描述

ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
文件大小

100.98 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 EIC discrete Semiconductors
企業(yè)簡稱

EIC

中文名稱

EIC discrete Semiconductors官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2024-12-28 21:07:00

1N5809US規(guī)格書詳情

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ultrafast recovery time

* Pb / RoHS Free

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    1N5809US

  • 制造商：

    Semtech Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    6A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    60pF @ 5V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SQ-MELF

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 6A

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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