1N3879R分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
1N3879R |
| 參數(shù)屬性 | 1N3879R 封裝/外殼為DO-203AA，DO-4，接線柱；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 |
| 功能描述 | Silicon Fast Recovery Diode |
| 封裝外殼 | DO-203AA，DO-4，接線柱 |
| 文件大小 |
736.31 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
GENESIC |
| 中文名稱 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-9 10:42:00 |
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1N3879R規(guī)格書詳情
1N3879R屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由GeneSiC Semiconductor, Inc.制造生產(chǎn)的1N3879R二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動，并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管（包括齊納二極管和可變電容二極管）單獨列在各自的產(chǎn)品系列中，每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
1N3879R
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝：
管件
- 二極管類型：
標準型，反極性
- 電流 - 平均整流 (Io)：
6A
- 速度：
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安裝類型：
底座，接線柱安裝
- 封裝/外殼：
DO-203AA，DO-4，接線柱
- 供應商器件封裝：
DO-4
- 工作溫度 - 結：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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