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1EDN7512G集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

1EDN7512G
廠商型號

1EDN7512G

參數(shù)屬性

1EDN7512G 封裝/外殼為6-WDFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

功能描述

advanced single-channel driver
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

文件大小

1.16916 Mbytes

頁面數(shù)量

28

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-23 11:03:00

1EDN7512G規(guī)格書詳情

1EDN7512G屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的1EDN7512G柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    1EDN7512GXTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 系列:

    EiceDriver?

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 20V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    4A,8A

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    6.5ns,4.5ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-WSON-6-1

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon/英飛凌
19+
68000
原裝正品價格優(yōu)勢
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INFINEON TECHNOLOGIES AG
23+
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