訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
1EDI10I12MH
- 產(chǎn)品分類:
芯片
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫存數(shù)量:
8000
- 產(chǎn)品封裝:
PG-DSO-8-59
- 生產(chǎn)批號(hào):
24+
- 庫存類型:
- 更新時(shí)間:
2025-8-1 9:51:00
首頁>1EDI10I12MH>芯片詳情
訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
芯片
8000
PG-DSO-8-59
24+
2025-8-1 9:51:00
原廠料號(hào):1EDI10I12MH品牌:Infineon/英飛凌
只做原裝,歡迎詢價(jià),量大價(jià)優(yōu)
1EDI10I12MH是隔離器 > 隔離器 - 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PG-DSO-8-59/8-SOIC(0.295",7.50mm 寬)的1EDI10I12MH隔離器 - 柵極驅(qū)動(dòng)器隔離器柵極驅(qū)動(dòng)器是電源信號(hào)與外部 MOSFET 或橋接架構(gòu)電路之間的接口。技術(shù)類型分為容性耦合、磁耦合和光耦合,提供 1、2 或 4 通道。電壓隔離范圍為 1000Vrms 至 7500Vrms,傳播延遲范圍為 30ns 至 5ms。
描述
:1EDI10I12MH
:active and preferred
:1200 V
:1 A
:2.2 A
:1 A
:2.3 A
:1
:High-side
:Industrial
:Galvanic isolation - Functional
:IGBT/SiC MOSFET
:PG-DSO-8
:2.75 V
:11.1 V
:330 ns
:300 ns
:270 ns
:330 ns
:300 ns
:270 ns
:3.1 V
:17 V
:13 V
:18 V
:20 ns
:10 ns
:5 ns
:19 ns
:9 ns
:3 ns
:2.85 V
:12 V