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1812C225K101CT

GaN Doherty Hybrid Amplifier

Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange

RFHIC

rfhic

1812C225K101CT

GaN Hybrid Power Amplifier

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

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更多1812C225K101CT供應(yīng)商 更新時間2024-10-31 14:51:00