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13005ECG-B-TM3-T

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION Thesedevicesaredesignedforhigh-voltage,high-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedfor115and220VSWITCHMODE. FEATURES *VCEO(SUS)=850V *ReversebiasSOAwithinductiveloads@TC=100°С *Inductiveswitching

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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更多13005ECG-B-TM3-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 15:00:00