1214GN-650V中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠(chǎng)商型號(hào)	1214GN-650V
功能描述	650 Watts - 50 Volts, 150 ?s, 10 Broad Band 1200 - 1400 MHz
文件大小	212.47 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	4 頁(yè)
生產(chǎn)廠(chǎng)商	Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)	Microsemi【美高森美】
中文名稱(chēng)	美高森美公司官網(wǎng)
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
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更新時(shí)間	2025-5-3 10:18:00
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GENERAL DESCRIPTION

The 1214GN-650V is an internally matched, COMMON SOURCE, class AB GaN

on SiC HEMT transistor capable of providing over 17dB gain, 650 Watts of

pulsed RF output power at 150μs pulse width, 10 duty cycle across the 1200 to

1400 MHz band. The transistor has internal pre-match for optimal performance.

This hermetically sealed transistor can be used for Broadband Avionics Data

Link applications. It utilizes gold metallization and eutectic attach to provide

highest reliability and superior ruggedness.

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