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1214-300M

300 Watts - 40 Volts, 150關(guān)s, 10 Radar 1200 - 1400 MHz

GENERALDESCRIPTION The1214-300Misaninternallymatched,COMMONBASEtransistorcapableofproviding300WattsofpulsedRFoutputpoweratonehundredfiftymicrosecondspulsewidth,tenpercentdutyfactoracrosstheband1200to1400MHz.Thishermeticallysolder-sealedtransistorisspecif

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1214-300M

300 Watts - 40 Volts, 150ms, 10 Radar 1200 - 1400 MHz

GENERALDESCRIPTION The1214-300Misaninternallymatched,COMMONBASEtransistorcapableofproviding300WattsofpulsedRFoutputpoweratonehundredfiftymicrosecondspulsewidth,tenpercentdutyfactoracrosstheband1200to1400MHz.Thishermeticallysolder-sealedtransistorisspecif

ADPOW

Advanced Power Technology

1214-300M

包裝：散裝 封裝/外殼：55ST 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1214-300

300Watts-50Volts,100us,10Radar12001400MHz

GENERALDESCRIPTION The1214-300isaninternallymatched,COMMONBASEtransistorcapableofproviding300WattsofpulsedRFoutputpoweratonehundredfiftymicrosecondspulsewidth,tenpercentdutyfactoracrosstheband1200to1400MHz.Thishermeticallysolder-sealedtransistorisspecifi

ADPOW

Advanced Power Technology

1214-300V

300Watts-50Volts,330關(guān)s,10Radar1200-1400MHz

GENERALDESCRIPTION The1214-300Visaninternallymatched,COMMONBASEtransistorcapableofproviding300WattsofpulsedRFoutputpoweratthreehundredthirtymicrosecondspulsewidth,tenpercentdutyfactoracrosstheband1200to1400MHz.Thishermeticallysolder-sealedtransistorisspe

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

AM1214-300

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIAM1214-300isDesignedfor1200–1400MHz,L-BandApplications. FEATURES: ?InternalInput/OutputMatchingNetwork ?CommonBase ?PG=6.5dbat325W/1400MHz ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

AM1214-300

L-BANDRADARAPPLICATIONSRF&MICROWAVETRANSISTORS

DESCRIPTION TheAM1214-300deviceisahighpowertransistorspecificallydesignedforL-Bandradarpulsedoutputanddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■5:1VSWRCAPABILITY ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGEOMETRY ■ME

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

PH1214-300M

RadarPulsedPowerTransistor300W,1.2-1.4GHz,150關(guān)sPulse,10Duty

MACOM

Tyco Electronics

PH1214-300M

RadarPulsedPowerTransistor

Features ?NPNsiliconmicrowavepowertransistors ?Commonbaseconfiguration ?BroadbandClassCoperation ?Highefficiencyinter-digitizedgeometry ?Diffusedemitterballastingresistors ?Goldmetallizationsystem ?Internalinputandoutputimpedancematching ?Hermeticmetal/cerami

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

PH1214-300M

RadarPulsedPowerTransistor,300Watts,1.20-1.40GHz,150mSPulse,10Duty

Features ■NPNSiliconMicrowavePowerTransistor ■CommonBaseConfiguration ■BroadbandClassCOperation ■HighEfficiencyInterdigitatedGeometry ■GoldMetalizationSystem ■InternalInputandOutputImpedanceMatching ■HermeticMetal/CeramicPackage

MACOM

Tyco Electronics

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    1214-300M

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    50V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益：

    7dB

  • 功率 - 最大值：

    88W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 500mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    4A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55ST

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55ST

  • 描述：

    RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多1214-300M供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 15:00:00

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