104HC2102K2SM6_電容器 薄膜電容器傳導(dǎo)冷卻,高脈沖,DV/DT-CDE

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原廠料號:104HC2102K2SM6品牌:Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

資料說明:CAP FILM 0.1UF 10% 1KVAC CHASS

104HC2102K2SM6是電容器 > 薄膜電容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生產(chǎn)封裝非標(biāo)準(zhǔn)的104HC2102K2SM6薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF,電壓為 2.5 V 至 100 V,封裝尺寸為 0201 至 1210,容差為 ±0.01 pF 至 ±5%。

  • 芯片型號:

    104hc2102k2sm6

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    CDE詳情

  • 廠商全稱:

    Cornell Dubilier Electronics

  • 資料說明:

    CAP FILM 0.1UF 10% 1KVAC CHASS

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    104HC2102K2SM6

  • 制造商:

    Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

  • 類別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列:

    HC2

  • 包裝:

    散裝

  • 容差:

    ±10%

  • 額定電壓 - AC:

    1000V(1kV)

  • 介電材料:

    聚丙烯(PP)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    非標(biāo)準(zhǔn)

  • 大小 / 尺寸:

    2.677" 長 x 1.189" 寬(68.00mm x 30.20mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    1.201"(30.50mm)

  • 端接:

    螺紋,母頭

  • 應(yīng)用:

    傳導(dǎo)冷卻,高脈沖,DV/DT

  • 描述:

    CAP FILM 0.1UF 10% 1KVAC CHASS

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