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100N03A	文件：910.69 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel Power Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.8mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.4mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
100N03A	文件：212.13 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0V N-CHANNEL MOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BR100N03	文件：884.73 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BSC100N03LSG	文件：390.79 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel;Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSC100N03MSG	文件：387.61 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSC100N03MSG	文件：530.46 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSZ100N03LSG	文件：339.8 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSZ100N03MSG	文件：337.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CMP100N03	文件：1.62203 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
D100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
FIR100N03DFNG	文件：4.39155 Mbytes Page：7 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR100N03LG	文件：3.4815 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR100N03PG	文件：3.33162 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HLDD100N03	文件：1.00544 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
HM100N03	文件：710.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM100N03D	文件：435.02 Kbytes Page：6 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
PHB100N03LT	文件：305.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB100N03LT	文件：331.22 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompatible ■Surfacemountpackage. Applications ■DCtoDCconverters ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,10A) Features 1)LowQg. 2)Lowon-resistance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectric Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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