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06N06LA中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

06N06LA
廠商型號(hào)

06N06LA

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

06N06L

封裝外殼

SOT-23-3L

文件大小

891.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-4-10 12:08:00

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06N06LA規(guī)格書(shū)詳情

Description

The 06N06LA uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INF進(jìn)口原
17+
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6200
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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