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06035J6R8BS中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

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廠(chǎng)商型號(hào)

06035J6R8BS

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

文件大小

456.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 20:38:00

06035J6R8BS規(guī)格書(shū)詳情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

Broadband High Linearity Amplifier

The MMG3005NT1 is a general purpose amplifier that is internally prematched and designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from 800 to 2200 MHz such as cellular, PCS, WLL, PHS, VHF, UHF, UMTS and general small--signal RF.

Features

? Frequency: 800--2200 MHz

? P1dB: 30 dBm @ 2140 MHz

? Small--Signal Gain: 15 dB @ 2140 MHz

? Third Order Output Intercept Point: 47 dBm @ 2140 MHz

? Single 5 V Supply

? Internally Prematched to 50 Ohms

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 16 mm Tape Width, 13--inch Reel.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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