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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312BVisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep

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06035J1R8BBSTR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：0603（1608 公制） 類別：電容器 薄膜電容器 描述：CAP THIN FILM 1.8PF 50V 0603

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J1R8BBSTR-500

包裝：卷帶（TR） 類別：電容器 薄膜電容器 描述：ACCU-F/P

KyOCERA

KYOCERA AVX

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HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3004NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli

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GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule

Description ?24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features ?Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading ?ExcellentDistortionPerformance ?Built-inInputDiodeProtection ?GaAsFETTransistorTechnology ?Unconditi

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更多06035J1R8BBS供應商 更新時間2024-12-26 15:27:00

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