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H02N60SJ

N-ChannelPowerFieldEffectTransistor

Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

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更多02N60P供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 16:29:00

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