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007N06N	文件：1.24321 Mbytes Page：12 Pages	型號：IPT007N06N；Package：PG-HSOF-8-1；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
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型號：IPT007N06N；Package：PG-HSOF-8-1；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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型號：IPTG007N06NM5；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOS? 5 Power-Transistor, 60 V

Features ?Nechannel ?Superiorthermalresistance ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-221

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