ZXMD65N03N8TA_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列-PAM

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原廠料號:ZXMD65N03N8TA品牌:Diodes Incorporated

資料說明:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

ZXMD65N03N8TA是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列。制造商PAM/Diodes Incorporated生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)的ZXMD65N03N8TA晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號:

    zxmd65n03n8ta

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  • 企業(yè)簡稱:

    PAM詳情

  • 廠商全稱:

    Diodes Incorporated

  • 資料說明:

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    ZXMD65N03N8TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    2 N-通道(雙)

  • FET 功能:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源電壓(Vdss):

    30V

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    6.5A

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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