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WNSC2D12650TJ_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管-整流器-單-瑞能半導(dǎo)體

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原廠料號：WNSC2D12650TJ品牌：WeEn Semiconductors

資料說明：SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

WNSC2D12650TJ是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單。制造商WEEN/瑞能半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝4-VSFN 裸露焊盤的WNSC2D12650TJ二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動，并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管（包括齊納二極管和可變電容二極管）單獨列在各自的產(chǎn)品系列中，每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

  • 芯片型號：

    wnsc2d12650tj

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    WEEN【瑞能半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    WeEn Semiconductors

  • 中文名稱：

    瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

  • 資料說明：

    SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    WNSC2D12650TJ

  • 制造商：

    WeEn Semiconductors

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    12A

  • 速度：

    無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    380pF @ 1V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-VSFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    5-DFN（8x8）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    175°C

  • 描述：

    SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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