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VNV35NV04

OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION TheVNB35NV04,VNP35NV04,VNV35NV04,VNW35NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto25KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04

Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)；包裝：管件 類(lèi)別：集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

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VNV35NV04-E

OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNB35NV04-E,VNP35NV04-EandVNV35NV04-EaremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto25kHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltagecla

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04TR-E

OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNB35NV04-E,VNP35NV04-EandVNV35NV04-EaremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto25kHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltagecla

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04-E

Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04TR-E

Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNB35NV04

FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNB35NV04

OMNIFETIIFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheVNB35NV04,VNP35NV04,VNV35NV04,VNW35NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto25KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNB35NV04-E

OMNIFETII:fullyautoprotectedPowerMOSFET

Description TheVNB35NV04-E,VNP35NV04-EandVNV35NV04-EaremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto25kHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltagecla

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VNV35NV04

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

  • 系列：

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開(kāi)關(guān)類(lèi)型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類(lèi)型：

    N 通道

  • 接口：

    開(kāi)/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載：

    36V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    30A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    10 毫歐（最大）

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 故障保護(hù)：

    限流（固定），超溫，過(guò)壓

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-PowerSO

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
STM
24+
200
詢價(jià)
ST
23+
SOP10
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ST
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
10-PowerSO
66800
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)注汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！
 詢價(jià)
ST
20+
na
65790
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
STM
2023+
80000
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
10-PowerSO
36500
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
 詢價(jià)
STM
24+
原廠封裝
7510
原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
STM
20+
SOP-10
1001
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
意法半導(dǎo)體
22+
NA
500000
萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂
 詢價(jià)
更多VNV35NV04供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-27 16:00:00

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