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UF3C120150K3S_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-UNITEDSIC

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原廠料號(hào)：UF3C120150K3S品牌：UnitedSiC

資料說明：SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

UF3C120150K3S是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商UNITEDSIC/UnitedSiC.生產(chǎn)封裝TO-247-3的UF3C120150K3S晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    uf3c120150k3s

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    UNITEDSIC詳情

  • 廠商全稱：

    UnitedSiC.

  • 資料說明：

    SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    UF3C120150K3S

  • 制造商：

    UnitedSiC

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    18.4A（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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