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TTD1409B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

TTD1409B
廠商型號

TTD1409B

參數(shù)屬性

TTD1409B 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

功能描述

Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

183.36 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-14 11:40:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TTD1409B,S4X

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    600 @ 2A,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220SIS

  • 描述:

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ISC/固電
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