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STW26NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW26NM60N
廠商型號(hào)

STW26NM60N

功能描述

N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages

文件大小

1.14259 Mbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-31 14:40:00

STW26NM60N規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET applies a new vertical structure to the company’s strip layout to yield a device with one of the world’s lowest on-resistance and gate charge, making it suitable for the most demanding high-efficiency converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW26NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
23+
N/A
5000
原裝分貨 強(qiáng)勢(shì)渠道
詢價(jià)
ST
24+
TO-247
2400
只做原裝 有掛有貨 假一賠十
詢價(jià)
ST
10+
5000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
S
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
ST/意法
23+
TO-247
8215
原廠原裝
詢價(jià)
ST原現(xiàn)
2138+
TO-247
6900
詢價(jià)
ST
22+
TO-247
30865
原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST/意法
21+
TO-247-3
60000
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十
詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-247
14100
原裝正品
詢價(jià)
ST
2020+
TO-247
8000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)